離子刻蝕 IBE原理
簡單的來說, 離子刻蝕 IBE原理將氬氣分解為氬離子, 氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面進(jìn)行物理轟擊, 以達(dá)到刻蝕的作用. 刻蝕過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體, 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速, 具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室, 射向固體表面轟擊固體表面原子, 使材料原子發(fā)生濺射, 達(dá)到刻蝕目的, 屬純物理刻蝕.
離子源應(yīng)用于離子刻蝕 IBE
上海伯東代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產(chǎn)品霍爾離子源 EH400
HC 成功應(yīng)用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性, 霍爾源單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應(yīng)用于蝕刻制程及基板前處理制程.
霍爾離子源客戶案例一: 某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備
系統(tǒng)功能: 對于 Fe, Se,
Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400
HC
霍爾離子源 EH400HC
安裝于刻蝕腔體內(nèi)
離子源 EH400HC
自動控制單元
霍爾離子源 EH400HC
通氬氣
對于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC
條件:
110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
對于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC
條件:
110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 ?/Sec
鑒于信息保密. 更詳細(xì)的離子源應(yīng)用歡迎撥打客服熱線：021-5046-3511
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霍爾離子源 EH400HC
特性:
1.高離子濃度, 低離子能量
2.離子束涵蓋面積廣
3.鍍膜均勻性佳
4.提高鍍膜品質(zhì)
5.模塊化設(shè)計, 保養(yǎng)快速方便
6.增加光學(xué)膜后折射率 (Optical
index)
7.全自動控制設(shè)計, 操作簡易
8.低耗材成本, 安裝簡易
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域.
上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.