| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-50-160- |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 雙級 | 軸的相對位置 | 立式加速器 |
| 傳動布置形式 | 同軸式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機 |
| 輸入轉速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 機械設備 | 減速比 | 46 |
| 產地 | 日本 | ||
摻雜是把雜質引入半導體材料的晶體結構中，以改變半導體材料電學性能的一種方法。harmonic雜質處理諧波CSF-50-160-2UH在芯片制造中常用兩種方法向硅片中引入雜質元素，即熱擴散和離子注入。熱擴散利用高溫驅動雜質穿過硅的晶格結構，這種方法受到時間和溫度的影響。離子注入通過高壓離子轟擊把雜質引入硅片。雜質通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。
擴散分為三種，即氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)。在半導體制造中，harmonic雜質處理諧波CSF-50-160-2UH利用高溫擴散驅動雜質穿過硅晶格。硅中固態(tài)雜質的擴散需要三個步驟：預淀積、推進和激活。
在淀積過程中，硅片被送入高溫擴散爐，雜質原子從材料源處轉移到擴散爐內，爐溫通常設為800~1000℃，持續(xù)時間10~30分鐘，這時雜質處于硅片的表面，為防止雜質的流失，在硅的表面需要生成薄層氧化層harmonic雜質處理諧波CSF-50-160-2UH。預淀積過程為擴散過程建立了濃度梯度，從表面深入到硅片的內部，雜質的濃度逐漸降低
