| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-50-160-2U |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 無級 | 軸的相對位置 | 臥式減速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 877 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
刻蝕的主要工藝參數(shù)有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、哈默納科真空設(shè)備諧波齒輪CSF-50-160-2UH均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷。
1.干法刻蝕
在半導(dǎo)體制造中，干法刻蝕是用來去除表面材料的最主要的刻蝕方哈默納科真空設(shè)備諧波齒輪CSF-50-160-2UH法。干法刻蝕是把硅片表面暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)，從而去掉暴露的材料。
一個等離子體干法刻蝕系統(tǒng)由發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、一個產(chǎn)生等離子體的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除刻蝕生成物和氣體的真空系統(tǒng)等組成。刻蝕反應(yīng)系統(tǒng)包括傳感器、氣體流量控制單元和終點觸發(fā)探測器。哈默納科真空設(shè)備諧波齒輪CSF-50-160-2UH一般的干法刻蝕中的控制參數(shù)包括真空度、氣體混合組分、氣流流速、溫度、射頻功率和硅片相對于等離子體的位置
