| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-17-80-2UH-LW |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 單級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 臥式減速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 1782N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 74 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
CVD工藝采用的設(shè)備為CVD反應(yīng)爐，根據(jù)反應(yīng)壓力可分為常壓或低壓CVD爐。日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LWCVD反應(yīng)爐常用的有臥室反應(yīng)爐和立式反應(yīng)爐。圖2.8所示為CVD臥式反應(yīng)爐工作原日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LW理示意圖。為避免高溫，可以采用其他的能量供應(yīng)形式，例如，通過高能射頻源獲得的等離子體就是一種可選形式，稱為等離子增強(qiáng)CVD (PECVD, Plasma Enhanced CVD)。
（2）外延工藝與設(shè)備
外延（Epitaxy）是在單晶襯底上、合適的條件下沿襯底原來的結(jié)晶軸向，日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LW生長(zhǎng)一層晶格結(jié)構(gòu)完整的新的單晶層的制膜技術(shù)。新生單晶層按襯底晶相延伸生長(zhǎng)，并稱為外延層。長(zhǎng)了外延層的襯底稱為外延片。
