| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | LA-30B-10-F-L |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 強(qiáng)沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 單級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 1782N.m |
| 使用范圍 | 工業(yè) | 減速比 | 74 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
（1） 水清洗設(shè)備。水清洗設(shè)備有溢流清洗器harmonic旋轉(zhuǎn)CMP諧波LA-30B-10-F-L 、排空清洗器、噴射清洗器和加熱去離子水清洗機(jī)。
（2） 硅片甩干。硅片清洗結(jié)束后需要甩干，通常使用旋轉(zhuǎn)式甩干和異丙醇蒸汽干燥法兩種方法。
CMP通常稱為化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical planarization，CMP）或拋光harmonic旋轉(zhuǎn)CMP諧波LA-30B-10-F-L。化學(xué)機(jī)械平坦化是實(shí)現(xiàn)多層金屬技術(shù)的主要平坦化技術(shù)，它通過硅片和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來平坦化硅片表面，在硅片表面和拋光頭之間有磨料，并且施加一定壓力。CMP設(shè)備工作原理如圖2.23所示，圖2.23（a）為平坦化加工原理圖，harmonic旋轉(zhuǎn)CMP諧波LA-30B-10-F-L為帶有多個(gè)磨頭的CMP設(shè)備示意圖。在拋光時(shí)一個(gè)磨頭上裝有一個(gè)硅片，在傳送和拋光過程中，磨頭依靠真空來吸附硅片。拋光時(shí)磨料由磨料噴嘴噴涂到拋光墊上，磨頭和轉(zhuǎn)盤的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)了硅片的拋光。磨料與硅片的化學(xué)反應(yīng)促進(jìn)了拋光效果。
