| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | CSF-32-50-2A-GR |
| 類(lèi)型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 三級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 111kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 47.6rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產(chǎn) | 減速比 | 323 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
凈化間是硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR金屬、有機(jī)分子和靜電釋放（ESD)的玷污。一般來(lái)講，那意味著這些玷污在最先進(jìn)測(cè)試儀器的檢測(cè)水平范圍內(nèi)都檢測(cè)不到。凈化間還意味著遵循廣泛的規(guī)程和實(shí)踐，以確保用于半導(dǎo)體制造的硅片生產(chǎn)設(shè)施免受玷污。
自然氧化層:如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長(zhǎng)始于潮濕，當(dāng)硅片表面暴露在空氣中時(shí)，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。自然氧化層引起的問(wèn)題是：①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長(zhǎng)和超薄氧化層的生長(zhǎng)。②另一個(gè)問(wèn)題在于金屬導(dǎo)體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在日本HD硅片加工諧波CSF-32-50-2A-GR，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過(guò)。
