| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-11-50-2XH-F |
| 類型 | 無級減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 雙級 | 軸的相對位置 | 立式加速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 樣品 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 減速機 |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 463 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
不過因為深度很淺，一般還是簡單認(rèn)定大部份離子是攙雜在表面上日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，然后進一步利用驅(qū)入（drive-in）來調(diào)整濃度分布，并對離子撞擊過的區(qū)域，進行結(jié)構(gòu)之修補?；旧?，其為一低溫制程，故可直接用光阻來定義植入的區(qū)域。
(五)化學(xué)日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F氣相沉積(ChemicalVaporDeb；CVD)
到目前為止，只談到以高溫爐管來進行二氧化硅層之成長。至于其它如多晶硅(poly-silicon)、氮化硅(silicon-nitride)、鎢或銅金屬等薄膜材料，要如何成長堆棧至硅晶圓上？
基本上仍是采用高溫爐管，只是因著不同的化學(xué)沉積過程日本HD驅(qū)動直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，有著不同之工作溫度、壓力與反應(yīng)氣體，統(tǒng)稱為「化學(xué)氣相沉積」。
