| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-14-100-2A-R |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動比級數(shù) | 雙級 | 軸的相對位置 | 立式加速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 樣品 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 三環(huán)式 | 用途 | 變速機 |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 454 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
離子植入(IonImplantation)? 在擴散制程的末尾描述中哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-14-100-2A-R，曾題及擴散區(qū)域之邊緣所在，有側(cè)向擴散的誤差，故限制其在次微米制程上之應(yīng)用。但誠如干蝕法補足哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-14-100-2A-R濕蝕法在次微米制程能力不足一樣，此地另有離子植入法，來進行圖案更精細(xì)，濃度更為稀少精準(zhǔn)的雜值攙入。? 離子植入法是將III族或IV族之雜質(zhì)，以離子的型式，經(jīng)加速后沖擊進入晶圓表面，經(jīng)過一段距離后，大部份停于離晶圓表面0.1微米左右哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-14-100-2A-R之深度(視加速能量而定)，故最高濃度的地方，不似熱擴散法在表面上。
