| 詳細(xì)參數(shù) | |||
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| 品牌 | 其他 | 型號 | BTF-1200C-II-AS-500A |
| 電源 | 其他 | 加工定制 | 是 |
| 外形尺寸 | 其他 | 產(chǎn)地 | 安徽合肥 |
主要特點(diǎn)
一、智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控制系統(tǒng)，控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫，電力調(diào)制器控制;負(fù)載采用小電壓大電流控制，從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命，測溫元件采用 K 型熱偶。30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定，操作界面為10寸工控電腦，內(nèi)置PLC控制程序，可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(時間和距離)設(shè)定為程序控制。同時系統(tǒng)設(shè)置了超溫、 欠溫、斷偶報警保護(hù)功能，大大降低了對操作人員經(jīng)驗的要求，關(guān)鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品，做到高性能、免維護(hù)，提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。
二、PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單。
三、配有可加熱到400℃的前端預(yù)加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū) ，溫度控制精確，操作簡便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗。
技術(shù)參數(shù)
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預(yù)熱器參數(shù)： |
工作溫度：400℃ zui高溫度：1100℃ zui快升溫速率：≤30℃/min 推薦升溫速率：10℃/min 控溫方式：智能化30段可編程控制 工作電壓：AC220V 額定功率：800W 控溫精度：±1℃ 加熱元件：電阻絲 |
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加熱區(qū)參數(shù)： |
加熱元件:電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） zui大升降溫速率：≤30℃/min 爐管：高純度石英管Φ25\50\60\80\100\150x2000mm (管徑可選) 標(biāo)準(zhǔn)配件：石英管1支，莫來石管堵2對，不銹鋼法蘭1套，氟膠密封圈2套，高溫手套1副，坩堝鉤1支； 尺寸約：2000×600×1500 mm（長、寬、高） 備注：可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等加熱區(qū)。 |
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氣路系統(tǒng)參數(shù)： |
質(zhì)量流量計參考量程（N2)：100sccm、200sccm、500sccm （量程可選） 準(zhǔn)確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5% 重復(fù)精度：±0.2% 響應(yīng)時間：氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa zui大壓力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 顯示：4位數(shù)字顯示 工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體 內(nèi)外雙拋不銹鋼管：Φ6 壓力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 截止閥：Φ6 連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。 備注：可選配一路、兩路、三路、四路等以上質(zhì)量流量計。 |
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低真空系統(tǒng)參數(shù)： |
國產(chǎn)油泵型號：BSV-10 抽速：10m3/h 極限真空度：5*10-1pa 電源：220v 50hz 電機(jī)功率：0.4kw 進(jìn)排氣連接口：KF25 用油量：1.1L 電機(jī)轉(zhuǎn)速：1440rpm 工作環(huán)境溫度：5-40℃ 噪音：≤56db 電阻真空計參數(shù)： 1.配用規(guī)管：ZJ-52T電阻規(guī)， 2.測量范圍： 10 5 ～10 -1 Pa， 3.測量路數(shù)： 1路 4.控制范圍： 5×10 3 ～5×10 -1 Pa， 5.控制方式：繼電器觸點(diǎn)輸出，負(fù)載能力 AC220V/3A (或DC28V/3A)無感負(fù)載， 6.電源： 90-260V/50Hz或220V ± 10% 50Hz， 7.功耗： 20W |
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射頻源主要參數(shù)： |
信號頻率：13.56 MHz±0.005% 功率輸出范圍：0-500W zui大反射功率:100W 射頻輸出接口：50 Ω, N-type, female 功率穩(wěn)定性：≤5W 諧波分量：≤-50dbc 供電電壓：單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ 整機(jī)效率：>=70% 功率因素：>=90% 冷卻方式：強(qiáng)制風(fēng)冷 備注：可根據(jù)腔體大小選擇射頻源功率。 |