| 詳細(xì)參數(shù) |
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| 產(chǎn)品特性：1 | 品牌： 霍尼韋爾 | 型號(hào)：HMC2003 |
| 傳感器類型：1 | 傳感軸：1 | 加速度范圍：1 |
| 精度：1 | 輸出類型：模擬 | 系列：1 |
| 電源電壓：1V | 特性：1 | 工作溫度：1℃ |
| 封裝/外殼：1 | 安裝類型：1 | 最小包裝數(shù)：1 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域：汽車電子 |
產(chǎn)品介紹
霍尼韋爾固態(tài)電子中心的三軸磁阻混合電路利用了三個(gè)玻莫合金磁阻橋路和電子接口電路來(lái)測(cè)量磁場(chǎng)的方向和強(qiáng)度。 傳感器的磁敏感方向分別沿著雙列直插混合電路的長(zhǎng),寬,高（XYZ）三個(gè)方向。測(cè)量范圍從70微高斯~2高斯。電路同時(shí)輸出對(duì)應(yīng)于XYZ軸的模擬量。利用混合電路的線性度和靈敏度通過(guò)測(cè)量地磁的變化可提供羅盤的方向或姿態(tài)。 混合電路具有較高的帶寬，可用于高速物體的異常檢測(cè)，如飛機(jī)、車輛及其它鐵磁物體。X，Y，Z磁傳感器橋路與儀表放大器相連，輸出0~5V的信號(hào)。 0高斯對(duì)應(yīng)著2.5V輸出 （典型值） 。 該電壓由參考電壓Vref決定。 Vref也可作為參考輸出，用于偏置連續(xù)增益放大器或緩沖放大器。其他的偏置電壓包括：Vbridge - 與溫度成正比的電橋激勵(lì)電壓；Vsense-反映流過(guò)三個(gè)橋路的電流變化的橋路反饋電壓；Vbias-通過(guò)調(diào)節(jié)電橋激勵(lì)電壓而設(shè)定電橋增益的偏置電壓。
HMC2003 三維磁阻傳感器混合電路模塊性能參數(shù)
X、Y、Z軸磁玻莫合金電橋
單電源6~15V供電
模擬信號(hào)輸出（0~5V）
20腳雙列直插封裝
測(cè)量范圍± 2Guass(± 160A/m)
分辨率<70 ? Guass
靈敏度溫度補(bǔ)償
偏置“線圈”作為閉環(huán)控制
包含基準(zhǔn)和偏置電壓
