品牌簡(jiǎn)介
Behlke公司地處法蘭克福西北約20公里的衛(wèi)星鎮(zhèn)克龍貝格，專業(yè)生產(chǎn)大電壓和大電流的MOSFET、IGBT、快速可恢復(fù)高電壓二極管、抗感應(yīng)散裝陶瓷電阻、陶瓷電容器等模塊。
德國(guó)Behlke具有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力、超穩(wěn)定的產(chǎn)品、標(biāo)準(zhǔn)模塊化的設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)在高壓高電流半導(dǎo)體器件行業(yè)處于全球領(lǐng)先地位。特別是在某些超高壓超電流領(lǐng)域更是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
30年以來(lái)，主要從事脈沖電力電子和高壓半導(dǎo)體堆的設(shè)計(jì)。功率MOSFET來(lái)到市場(chǎng)，全新的材料可能是另一個(gè)革命性的新產(chǎn)品的基礎(chǔ)。實(shí)驗(yàn)這種新材料，并在研究所提出了快速高壓推挽開關(guān)，使研究人員能夠進(jìn)行離子解吸過(guò)程的TOF-MS特殊實(shí)驗(yàn)。
產(chǎn)品分類
Behlke 電子開關(guān)
Behlke 高壓開關(guān)
產(chǎn)品特性
具有真正繼電器特性的多功能高壓開關(guān)
與極性無(wú)關(guān)
非常適合振蕩電路和一般射頻應(yīng)用
接通時(shí)間可由 TTL 信號(hào)控制
對(duì)過(guò)載和電壓反轉(zhuǎn)具有穩(wěn)健性
低導(dǎo)通損耗
高浪涌電流能力
對(duì)高壓瞬變具有出色的 dv/dt 抗擾度
常見型號(hào)
Behlke HTS 160-01
Behlke HTS 60-200-SCR
Behlke HTS 80-03
Behlke HTS 61-15
Behlke HTS 61-30
Behlke HTS 61-60
Behlke HTS 61-120
Behlke HTS 121-15
Behlke HTS 121-30
Behlke HTS 121-60
Behlke HTS 121-120
Behlke HTS 121-180
Behlke HTS 121-360
Behlke HTS 11-07-AC-C
Behlke HTS 31-02-AC-LC-C
Behlke HTS 31-03-AC-C
Behlke HTS 31-06-AC-BC
BehlkeHTS 41-02-AC-C
behlke HTS 30-06-UF
behlke HTS 30-08-UF
behlke HTS 50-08-UF
behlke HTS 50-12-UF
behlke HTS 80-12-UF
behlke HTS 80-20-UF
behlke HTS 100-20-UF
behlke HTS 120-15-UF
常用產(chǎn)品介紹
Behlke HTS 120-100-SCR
用于 di/dt >2kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。顯示在具有選項(xiàng) FC（扁平外殼）的經(jīng)濟(jì)高效的塑料外殼中。12 kVDC，1kA pk，tr < 100...500 ns。尺寸 79x38x17 毫米。
Behlke HTS 80-500-SCR
用于 di/dt >10kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。顯示在帶有標(biāo)準(zhǔn)大電流端子的經(jīng)濟(jì)高效的塑料外殼中。8 kVDC, 5 kA pk, tr < 100...500 ns。89x64x32 毫米。
Behlke HTS 80-500-SCR
用于 di/dt >10kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶可選冷卻法蘭，無(wú)電勢(shì)（選項(xiàng) GCF）。8 kVDC, 5 kA pk, tr < 100...500 ns。尺寸 132x100x40 毫米。
Behlke HTS 120-500-SCR
用于 di/dt >10kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的銅散熱片（選項(xiàng) CF）。標(biāo)準(zhǔn)大電流端子。12 kVDC，5kA pk，tr < 100...500 ns。122x64x66 毫米。
Behlke HTS 240-1200-SCR
用于 di/dt >24kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的陶瓷冷卻表面（選項(xiàng) CCS）。24 kVDC, 12 kA pk, tr < 100...500 ns
Behlke HTS 240-1200-SCR
用于 di/dt >24kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的銅散熱片（雙散熱片，選項(xiàng) CF-D）。24 kVDC，12 kA pk，tr < 100...500 ns
Behlke HTS 240-800-SCR
用于 di/dt >16kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的銅散熱片（選項(xiàng) CF-1）。24.000 VDC，8 kA pk，tr < 100...500 ns
Behlke HTS 240-300-SCR
用于 di/dt >6kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的銅散熱片，加大（選項(xiàng) CF-X3）和塑料法蘭外殼（選項(xiàng) FH）。24 kVDC, 3 kA pk, tr < 100...500 ns
Behlke HTS 440-1200-SCR
用于 di/dt >24kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的銅散熱片（選項(xiàng) CF）和塑料法蘭外殼（選項(xiàng) FH）。44 kVDC，12 kA pk，tr < 100...500 ns
Behlke HTS 500-1200-SCR
用于 di/dt >24kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的水冷（選項(xiàng) ILC）。50 kVDC，12 kA pk，tr < 100...500 ns
Behlke HTS 1500-1000-SCR
用于 di/dt >20kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。具有用于非導(dǎo)電冷卻劑的可選液體冷卻（選項(xiàng) DLC）。150 kVDC，10 kA pk，tr < 150...500 ns。
Behlke HTS 1200-2400-SCR
用于 di/dt >40kA/μs 的快速晶閘管高壓開關(guān)。帶有可選的液體冷卻。非對(duì)稱隔離（正極 200 kV / 負(fù)極 30 kV）。120 kVDC，24 kA pk，tr < 200...600 ns。
Behlke HTS 40-06
標(biāo)準(zhǔn)塑料外殼中的非?？焖俚?MOSFET 開關(guān)。固定導(dǎo)通時(shí)間，ton=100ns（50 ns - 100 μs 可選）4 kV，60 A pk，上升時(shí)間 < 3 ns。
Behlke HTS 60-16
低雜散電感快速放電開關(guān)。固定導(dǎo)通時(shí)間，ton = 150ns。6 kV，160 A，tr <4ns @Ip(max)。PCB 的插針插座包含在交貨中。
Behlke HTS 80-16
低雜散電感快速放電開關(guān)。固定導(dǎo)通時(shí)間，ton = 150ns。8 kV，160 A，tr <5ns @Ip(max)。PCB 的插針插座包含在交貨中。
Behlke HTS 80-26
低雜散電感快速放電開關(guān)。固定導(dǎo)通時(shí)間，ton = 180ns。8 kV，260 A，tr <5ns
Behlke HTS 181-01-C
MOSFET 開關(guān)，緊湊系列?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從 50 ns 到無(wú)限。18 kV，12 A，上升時(shí)間 < 15 ns。尺寸 79 x 38 x 25 毫米。選擇。推薦使用 PT-HV（HV 尾纖）。
Behlke HTS 151-0 2
MOSFET 開關(guān)，帶選項(xiàng) FC（扁平外殼）和標(biāo)準(zhǔn)連接器?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從 50 ns 到無(wú)限。15 kVDC，25 A pk，上升時(shí)間 < 8 ns。導(dǎo)通電阻 < 30 Ohm。
Behlke HTS 331-06
通用 MOSFET 開關(guān)，帶選項(xiàng) CF（散熱片）、C-DR（驅(qū)動(dòng)器冷卻）和 HFS（高頻開關(guān)）。33 kVDC，60 A。導(dǎo)通電阻 < 33 歐姆。
Behlke HTS 61-40
具有高 di/dt 的 MOSFET 開關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從 300 ns 到無(wú)限。6 kVDC，400 安培。上升時(shí)間 < 10 ns @Ip(max)
Behlke HTS 101-20
具有高 di/dt 的 MOSFET 開關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從 300 ns 到無(wú)限。10 kVDC，200 安培。上升時(shí)間 < 12 ns @Ip(max)
Behlke HTS 311-130-B
采用溝槽 FET 技術(shù)的具有高 di/dt 的 MOSFET 開關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間 300 ns - ∞。31 kVDC，1300 安培。上升時(shí)間 < 20 ns @Ip(max)。獨(dú)立的控制單元。
