ME8109主要針對適配器、充電器、開板電源、家電類、輔助電源而設(shè)計的一款高性能控
制芯片。ME8109 內(nèi)部集成了一個脈寬調(diào)制控制器和一個 650V（600V） 的高壓功率 MOSFET。
ME8109 的啟動電流很低，電流模式脈寬調(diào)制使得在輕載時工作在節(jié)能模式。這些特性保證了
電源能輕松達到最嚴(yán)苛的能源法規(guī)要求。 ME8109 的集成功能包括電流檢測的前沿消隱，內(nèi)
部斜率補償，逐周期峰值電流限制和軟啟動。 另外，在誤動作時，過流保護(OCP)，過壓保護
(OVP) 和過載保護 (OLP) 、OTP能為芯片提供充分的保護?？傊琈E8109 擁有更好的特性
和更低的電源成本.
ME8109BD8G主要特點如下：
1)低待機功耗：通過低功耗間歇工作模式設(shè)計，達到小于 100mW超低耗的性能。
2)無噪聲工作：優(yōu)化的芯片設(shè)計可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作，系統(tǒng)最小工作頻
率控制在 22K左右。
3)更低啟動電流：VDD啟動電流低至 5uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟
動時間。
4)更低工作電流：工作電流約為 1.8mA， 可有效降低系統(tǒng)的損耗,提高系統(tǒng)的效率。
5)內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置 220nS前沿消隱（LEB），降低系統(tǒng)成本。
6)內(nèi)置良好的 OCP 補償：內(nèi)置了 OCP 補償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得
全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的 OCP曲線趨向平坦， 提高系統(tǒng)的性價比。
7)完善的保護功能：集成了完善的保護功能模塊。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使
系統(tǒng)設(shè)計簡潔可靠，同時滿足安規(guī)的要求。
8)軟啟動功能：內(nèi)置 4mS軟啟動功能,可有效降低系統(tǒng)開機 MOS管漏源之間電壓過沖。
9)較少的外圍器件：外圍比較簡單，可有效提高系統(tǒng)的功率密度，降低系統(tǒng)的成本。
10）優(yōu)良的 EMI 特性： 內(nèi)置的頻率抖動設(shè)計可以很有效的改善系統(tǒng)的 EMI 特性，同時可以
降低系統(tǒng)的 EMI 成本。
